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Información del Producto
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Memoria:
- Alimentación: VDD = 1,2 V (típico)
- VDDQ = 1,2 V (típico)
- VPP = 2,5 V (típico)
- VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
- Terminación nominal y dinámica en el chip (ODT) para
señales de datos, estroboscopio y máscara - Autorrefresco automático de bajo consumo (LPASR)
- Inversión del bus de datos (DBI)
- Generación y calibración de VREFDQ en el chip
- Capacidad de memoria RAM: 8 GB
- Velocidad de memoria del reloj: 3200 MHz
- ECC: No especificado
- PCB: Altura 30,00 mm (1,18”)
- Latencia CAS: CL22
- Tiempo de ciclo de fila: 45.75 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 350 ns
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Otras características:
- Factor de forma: 260-pin SO-DIMM
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Condiciones ambientales:
- Intervalo de temperatura operativa: 0 – 85 °C
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 – 100 °C
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